(资料图片) ▲图源:英诺赛科亚汇网在起诉书中看到,EPC将矛头对准了两名曾在该公司任职的高管。EPC认为,其首席技术官和销售总监加入英诺赛科后不久,英诺赛科便推出了与EPC关键性能指标几乎相同的产品。此外,英诺赛科还展开了进攻性的营销活动,积极向EPC公司的客户推销其产品。EPC要求获得侵权赔偿,并希望能够禁止英诺赛科公司在美国销售涉及侵权的氮化镓产品。业内人士指出,若EPC最终胜诉,英诺赛科等GaN企业进军国际市场的策略将不得不做出改变。英诺赛科成立于2015年12月,是一家总部位于珠海的GaN类器件制造商,产品包括高低压GaN电源IC、功率半导体等,其拥有全球最大的8英寸硅基GaN晶圆的生产基地。 |
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